FDP55N06: N 沟道 UniFETTM MOSFET 60 V、55 A、22 mΩ

UniFETTMMOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on) = 22 mΩ （最大值），需 V_GS = 10 V、I_D = 27.5 A栅极电荷低（典型值：30nC)
• 低 C_rss（典型值60pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试

Application Notes