FDP6030BL: N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

这些MOSFET与其他具有可比RDS(on)规格的MOSFET相比，具有更快的开关速度和更低的栅极电荷，从而产生整体效率更高的DC/DC电源设计。

特性

• 40 A，30 V
  
• R_DS(ON) = 0.018 Ω @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 0.024 Ω @ V_GS = 4.5 V
  
• 在高温下指定的临界DC电气参数。
  
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON).
  
• 175°C最大结温额定值。
  

Application Notes