这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产而成。 这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻、提供卓越开关性能以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。
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