FDP7030BL: N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

特性

• 60 A，30 V
  
• R_DS(ON) = 9 mΩ @ V_GS = 10 V
  
• R_DS(ON) = 12 mΩ @ V_GS = 4.5 V
  
• 在高温下指定的临界DC电气参数
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 175°C最大结温额定值
  

Application Notes