FDP75N08A: 75V N沟道MOSFET

这些N沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形DMOS技术生产。               这一先进技术是专为最大限度地降低通态电阻，提供卓越开关性能，以及在雪崩和交换模式下承受高能量脉冲而定制的。 这些器件非常适合高效开关电源、有源功率因数校正以及基于半桥拓扑的电子灯镇流器。

特性

• 75A，75V，R_DS(on) = 0.011Ω @V_GS = 10 V
• 低栅极电荷（典型值145 nC）
• 低Crss（典型值86 pF）
• 快速开关
• 可提高dv/dt处理能力

Application Notes