FDP8030L: 30V N沟道逻辑电平PowerTrench® MOSFET

此N沟道逻辑电平MOSFET已经过专门设计，采用同步或常规的开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。

比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 80A, 30V
  
  • RDS(ON) = 0.0035 Ω@ VGS =10 V
  • RDS(ON) = 0.0045 Ω @ VGS = 4.5 V
• R_DS(ON) = 0.0035 Ω@ V_GS =10 V
  
• R_DS(ON) = 0.0045 Ω @ V_GS = 4.5 V
  
• 在高温下指定的临界DC电气参数
  
• 耐用的内部源极-漏极二极管使得无需使用外部齐纳二极管瞬态抑制器。
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 175°C最大结温额定值
  。

Application Notes