FDP8870: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDP8870: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDP8870.pdf

特性

r_DS(ON) = 4.1mΩ @ V_GS = 10V，I_D=35A
r_DS(ON) = 4.6mΩ @ V_GS = 4.5V，I_D=35A
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(on)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDP8870	量产符合 RoHS 标准截至2006年2月27日中国 RoHS	$0.9659	TO-220 3L - 4.83 x 10.16 x 8.89mm, 管装 TO-220 3L 示意图最后更新: 2015年11月 TO220-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年10月 TO Tube Packing Drawing 最后更新: 2015年9月 TO Vacuum Packing Drawing 最后更新: 2015年9月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K 第二行FDP 第三行8870

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDP8870.pdf














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