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FDP8880: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET
此N沟道MOSFET是专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进DC/DC转换器整体功效而设计的。 已针对低栅极电荷、低rDS(ON) 和高速开关进行了优化。
数据手册DataSheet
FDP8880.pdf
特性
R
DS(ON)
= 14.5mΩ,V
GS
= 4.5V,I
D
= 40A
R
DS(ON)
= 11.6mΩ,V
GS
= 10V,I
D
= 40A
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(on)
低栅极电荷
高功率和高电流处理能力
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDP8880
量产 绿色:截至2015年7月 中国 RoHS
$0.6507
TO-220 3L - 4.83 x 10.16 x 8.89mm, 管装
TO-220 3L 示意图
最后更新: 2015年11月
TO220-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年10月
TO Tube Packing Drawing
最后更新: 2015年9月
TO Vacuum Packing Drawing
最后更新: 2015年9月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDP8880
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AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
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快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
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AN-9010
MOSFET 基础
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最后更新 : 2011年3月05日
FDP8880.pdf
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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TO-220 3L Drawing
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TO220-3L, JEDEC VARIATION, PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2013
TO Tube Packing Drawing
Last Update: Sep 2015
TO Vacuum Packing Drawing
Last Update: Sep 2015
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
Last Update : 05-Mar-2011
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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