FDPC4044: 30 V 共漏极 N 沟道 PowerTrench® MOSFET

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 该器件具有两个共漏极 N 沟道 MOSFET，支持双向电流。 FDPC4044 结合了飞兆的先进工艺以及艺术级封装工艺，从而最大程度地减少了通态电阻。

特性

• r_S1S2(on)最大值 = 4.3 mΩ（V_GS = 10 V、I_S1S2 = 27 A）
• r_S1S2(on)最大值 = 6.4 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_S1S2 = 23 A）
• 封装尺寸/高度： 3.3 x 3.3 x 0.8 mm
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
• 符合 RoHS 标准

Application Notes