FDPC5030SG: 30 V Dual 封装。 开关节点已在内部连接至 PowerTrench® Power Clip

该器件在双封装中包括两个专用 N 沟道 MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1) 和同步 synchronous SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。

特性

• 最大值 r_DS(on) = 4.6 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 17 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 6.5 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 14 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 2.4 mΩ（V_GS = 10 V, I_D = 25 A
  
• 最大值 r_DS(on) = 3.0 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 22 A
  
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  
• MOSFET 集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes