FDPC8012S: 25V非对称双N沟道MOSFET PowerTrench®电源夹

该器件在双封装中包括两个专用N沟道MOSFET。 该开关节点通过内部连接，能够为同步降压转换器提供简单的布局和布线。 控制 MOSFET (Q1)和同步 SyncFET™ (Q2) 旨在提供优化的功效。

特性

• Q1： N 沟道
  
• 最大值 r_DS(on) = 7.0 mΩ（V_GS = 4.5 V，I_D = 12 A 时）
  Q2： N 沟道
  
• 最大值 r_DS(on) = 2.2 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_D = 23 A 时）
  
• 低电感封装缩短了上升/下降时间，从而减少了开关损耗
  
• MOSFET集成可实现降低电路电感以及开关节点振铃噪声的优化布局
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes