UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体®的高压 MOSFET 系列产品，基于先进平面条形和 DMOS 技术。 该先进 MOSFET 系列在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。 此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。 UniFET II Ultra FRFETTM MOSFET有很多出色的体二极管反向恢复性能。 其 trr 小于 50nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200nsec 以上和 4.5V/nsec。 因此，UniFET II Ultra FRFET MOSFET在要求MOSFET体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。 该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。
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