FDPF8N50NZU: N 沟道 UniFETTM II Ultra FRFETTM MOSFET 500V, 6.5A, 1.2Ω

UniFETTM II MOSFET 是飞兆半导体的高压 MOSFET 系列产品，基于平面条形技术和 DMOS 技术。该先进MOSFET系列产品在平面 MOSFET 产品中具有最小的通态电阻，还可提供卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此外，内部的栅源 ESD 二极管使 UniFET II MOSFET 产品可承受超过 2kV 的 HBM 冲击应力。UniFET II Ultra FRFETTM 具有非常卓越的体二极管反向恢复性能。其 trr小于 50 nsec 且反向 dv/dt 抗扰度为 20 V/nsec，而一般的平面 MOSFET 产品分别为 200 nsec 以上和 4.5 V/nsec。因此，UniFET II Ultra FRFET MOSFET 在要求 MOSFET 体二极管性能改进的某些应用可消除多余的元件，并提高系统的可靠性。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示器(FPD)电视电源、ATX 及灯用电子镇流器。

特性

• R_DS(on) = 1.0Ω （典型值）@ V_GS = 10V, I_D = 3.25A栅极电荷低（典型值：14nC)
• 低 C_rss（典型值5pF)
• 100% 经过雪崩击穿测试
• 提高了 dv/dt 性能
• 改进了 ESD 防护能力
• 符合 RoHS 标准

Application Notes