FDS4141: -40V P沟道PowerTrench® MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 采用飞兆半导体公司专有的 PowerTrench® 技术生产，能够提供较低的 rDS(on)和优化的 BVDSS性能，从而在应用中实现卓越性能，并提供能够减少转换器/逆变器应用功耗的优化开关性能。

特性

• 最大 r_DS(on) = 13.0 mΩ（V_GS = -10 V、 I_D = -10.5 A
  ）
• 最大 rD_S(on) = 19.0 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -8.4 A
  ）
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes