FDS4435BZ: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻而定制的。• 该器件非常适用于笔记本电脑和便携式电池组中的电源管理和负载开关应用。

特性

• 最大r_DS(on) = 20mΩ（V_GS = –10V且I_D = –8.8A时）
• 最大r_DS(on) = 35mΩ（V_GS = –4.5V且I_D = –6.7A时）
• 扩展了V_GSS范围(-25V)，适合电池应用
• HBM ESD保护等级为±3.8KV典型值（注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 高功率和高电流处理能力
• 终端是符合RoHS标准的无铅产品

Application Notes