FDS4685: -40V P沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDS4685: -40V P沟道PowerTrench® MOSFET

此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的功率管理应用进行了优化。

**数据手册DataSheet**
FDS4685.pdf

特性

-8.2A, -40V
R_DS(ON) = 0.027 mΩ @ V_GS = -10V
R_DS(ON) = 0.035 mΩ @ V_GS = -4.5V
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
高功率和高电流处理能力

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDS4685	量产绿色：截至2014年10月中国 RoHS	$0.5062	SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带 SO 8L NB 示意图最后更新: 2015年11月 MO8A SON8, Packing Drawing 最后更新: 2015年10月 SOIC 8L TR packing drawing 最后更新: 2013年5月 SOIC 8L PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOIC 8L PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOIC Tape And Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDS 第三行4685

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDS4685.pdf
















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