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FDS4685: -40V P沟道PowerTrench® MOSFET
此P沟道MOSFET是采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产的稳固栅极版本。 已针对要求大范围栅极驱动电压额定值(4.5V-20V)的功率管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDS4685.pdf
特性
-8.2A, -40V
R
DS(ON)
= 0.027 mΩ @ V
GS
= -10V
R
DS(ON)
= 0.035 mΩ @ V
GS
= -4.5V
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
高功率和高电流处理能力
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS4685
量产 绿色:截至2014年10月 中国 RoHS
$0.5062
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
4685
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系
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快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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AN-9065
AN-9065 同步整流中的 FRFET®
最后更新 : 2013年9月09日
AN-4163
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最后更新 : 2014年10月23日
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AN-9010
MOSFET 基础
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AN-7533
A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
最后更新 : 2011年3月05日
FDS4685.pdf
MOSFET Basics
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification
Last Update : 28-Jun-2014
Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
Last Update : 26-Nov-2014
Power MOSFET Avalanche Guideline
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SO 8L NB Drawing
Last Update: Nov 2015
MO8A SON8, Packing Drawing
Last Update: Oct 2015
SOIC 8L TR packing drawing
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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