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FDS4897C: 40V双N & P沟道PowerTrench® MOSFET
这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产,这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDS4897C.pdf
特性
R
DS(ON)
= 29 mΩ @ V
GS
= 10V
R
DS(ON)
= 36 mΩ @ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 46 mΩ @ V
GS
= -10V
R
DS(ON)
= 63 mΩ @ V
GS
= -4.5 V
采用广泛使用的表面贴装封装,具有高功率和高电流处理能力
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS4897C
量产 绿色:截至2014年10月 中国 RoHS
$0.343
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
4897C
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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最后更新 : 2013年9月09日
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最后更新 : 2014年10月23日
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最后更新 : 2011年3月05日
FDS4897C.pdf
MOSFET Basics
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A Combined Single-Pulse and Repetitive UIS Rating System
Last Update : 03-Mar-2011
FRFET® in Synchronous Rectification
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Driving and Layout Design for Fast Switching Super-Junction MOSFETs
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Power MOSFET Avalanche Guideline
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SO 8L NB Drawing
Last Update: Nov 2015
MO8A SON8, Packing Drawing
Last Update: Oct 2015
SOIC 8L TR packing drawing
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SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
Last Update : 23-Oct-2014
A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
Last Update : 05-Mar-2011
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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