FDS6670AS: 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDS6670AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供一个低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6670AS包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

特性

• 13.5A，30V R_DS(on) = 9.0 mΩ @ V_GS = 10V
  R_DS(on) = 11.5mΩ @ V_GS = 4.5V
  
• 包含SyncFET肖特基体二极管
  
• 低栅极电荷（27nC典型值）
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)和快速开关
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes