FDS6699S: 30V N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDS6699S设计用于替代同步DC:DC电源中的一个单SO-8 MOSFET和肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 FDS6699S包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

特性

• 21A、30V
• R_DS(ON) = 3.6 mΩ @ V_GS = 10V
• R_DS(ON) = 4.5 mΩ @ V_GS = 4.5 V
• 包含SyncFET肖特基体二极管
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)和快速开关
• 高功率和高电流处理能力
• 100%通过R_G（栅极电阻）测试

Application Notes