FDS6900AS: 30V双N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDS6900AS设计用于替代同步DC:DC电源中的两个单通道SO-8 MOSFET和肖特基二极管，为笔记本电脑和其他电池供电电子器件提供各种外设电压。 FDS6900AS包含两个独特的30V、N沟道、逻辑电平、PowerTrench MOSFET，旨在最大限度地提高功率转换效率。      高端开关(Q1)的设计特别强调降低开关损耗，而低端开关(Q2)则强调降低导通损耗。 Q2还包含使用飞兆的单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。

特性

• Q2： 经优化以最大限度地降低传导损耗 包含SyncFET肖特基体二极管
  8.2A，30V R_DS(on) = 22 mΩ @ V_GS = 10V
  R_DS(on) = 28mΩ @ V_GS = 4.5V
  
• Q1： 针对低开关损耗而优化 低栅极电荷（11nC典型值）
  6.9A，30V R_DS(on) = 27 mΩ @ V_GS = 10V
  R_DS(on) = 34mΩ @ V_GS = 4.5V
  

Application Notes