FDS6912: 双N沟道逻辑电平PWM优化PowerTrench® MOSFET

这些N沟道逻辑电平MOSFET经过专门设计，采用同步或常规开关PWM控制器提高DC/DC转换器的整体效率。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。 因此，这是一款更易于驱动且更安全（在高频段也是如此）的MOSFET，可实现具有更高总效率的DC/DC电源设计。

特性

• 6 A，30 V。 R_DS(ON) = 0.028。 @ V_GS = 10 V R_DS(ON) = 0.042 。 @ V_GS = 4.5 V。
• 优化用于切换使用脉宽调制(PWM)控制器的DC/DC转换器
• 极快速开关
• 低栅极电荷

Application Notes