FDS6990AS: 30V双N沟道PowerTrench® SyncFET™

FDS6990AS设计用于替代同步DC:DC电源中的一个双SO-8 MOSFET和两个肖特基二极管。 此30V MOSFET设计用于最大限度地提高功率转换效率，提供低RDS(ON)和低栅极电荷。 每个MOSFET都包含使用飞兆半导体单片SyncFET技术的集成肖特基二极管。 FDS6990AS在同步整流器中作为低端开关的性能与FDS6990A并联一个肖特基二极管的性能相似。

特性

• 7.5 A，30 V。 R_DS(ON) = 22 mΩ @ V_GS = 10V
  R_DS(ON) = 28 mΩ @ V_GS = 4.5V
  
• 包含SyncFET肖特基体二极管
  
• 低栅极电荷（10nC典型值）
  
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
  
• 高功率和高电流处理能力
  

Application Notes