FDS86540: 60V N沟道PowerTrench® MOSFET

该N沟道MOSFET专为使用同步或传统开关PWM控制器来改进总体效率和在最大程度上减少DC/DC转换器的开关结点振铃而设计。已经针对低栅极电荷、低rDS(on)、快速开关速度和软体二极管反向恢复性能进行了优化。

特性

• V_GS = 10V，I_D = 18A时，最大r_DS(on) = 4.5mΩ
  
• V_GS = 8 V，I_D = 16.5 A时，最大r_DS(on) = 5.4mΩ
  
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)
  
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装
  
• 100%经过UIL测试
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes