FDS8842NZ: 40V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDS8842NZ设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。 先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。

特性

• V_GS = 10 V，I_D = 14.9 A时，最大r_DS(on) = 7.0 mΩ
• V_GS = 4.5 V，I_D = 11.6 A时，最大r_DS(on) = 11.6 mΩ
• HBM静电放电保护等级 = 4.4 kV典型值 （注3）
• 高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)和快速开关
• 高功率和高电流处理能力
• 终端是符合RoHS标准的无铅产品

Application Notes