FDS8882: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDS8882: 30V N沟道PowerTrench® MOSFET

FDS8882设计用于最大限度地降低功率转换应用中的损耗。先进的硅和封装技术完美融合，在保持卓越开关性能的同时，提供了最低的rDS(on)。

**数据手册DataSheet**
FDS8882.pdf

特性

V_GS= 10V，I_D = 9 A时，最大r_DS(on) = 20.0mΩ
V_GS= 4.5 V，I_D = 8 A时，最大r_DS(on) = 22.5mΩ
高性能沟道技术可实现极低的r_DS(on)和快速开关
高功率和高电流处理能力
终端无引线且符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDS8882	量产绿色：截至2008年12月中国 RoHS	$0.28	SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带 SO 8L NB 示意图最后更新: 2015年11月 MO8A SON8, Packing Drawing 最后更新: 2015年10月 SOIC 8L TR packing drawing 最后更新: 2013年5月 SOIC 8L PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOIC 8L PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOIC Tape And Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDS 第三行8882

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDS8882.pdf
















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