FDS8958B: 30V双N和P沟道PowerTrench® MOSFET

这些双N和P沟道增强模式功率场效应晶体管采用飞兆半导体先进的PowerTrench®工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。

这些器件非常适合需要线路内低功率损耗和快速开关的低电压和电池供电应用。

特性

• 最大值 R_DS(on) = 26mΩ（V_GS = 10V，I_D = 6.4A
• 最大值 R_DS(on) = 39mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 5.2A
• 最大值 R_DS(on) = 51mΩ（V_GS = 10V，I_D = 4.5A
• 最大值 R_DS(on) = 80mΩ（V_GS = 4.5V，I_D = 3.3A
• HBM静电放电保护等级为>3.5 kV
• 符合RoHS标准

Application Notes