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FDS9431A: P沟道2.5V额定MOSFET
此P沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆专有的高密度DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低通态电阻并提供卓越开关性能而定制的。
数据手册DataSheet
FDS9431A.pdf
特性
-3.5 A,-20V
R
DS(ON)
= 0.130 Ω @ V
GS
= -4.5 V
R
DS(ON)
= 0.180 Ω @ V
GS
= -2.5 V
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
高功率和高电流处理能力
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDS9431A
量产 绿色:截至2015年1月 中国 RoHS
$0.3683
SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带
SO 8L NB 示意图
最后更新: 2015年11月
MO8A SON8, Packing Drawing
最后更新: 2015年10月
SOIC 8L TR packing drawing
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC 8L PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
SOIC Tape And Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年6月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&2
(2 位日期代码)
&K
第二行
FDS
第三行
9431A
Application Notes
AN-558
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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最后更新 : 2014年10月23日
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MOSFET 基础
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FRFET® in Synchronous Rectification
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SO 8L NB Drawing
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MO8A SON8, Packing Drawing
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SOIC 8L TR packing drawing
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
SOIC 8L PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation
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Introduction to Power MOSFETs and their Applications
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