FDS9958: -60V双P沟道PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDS9958: -60V双P沟道PowerTrench® MOSFET

这些P沟道逻辑电平额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。此类器件非常适合便携式电子应用：负载开关和电源管理、电池充电和保护电路。

**数据手册DataSheet**
FDS9958.pdf

特性

V_GS = -10V，I_D = -2.9A时，最大r_DS(on) = 105 mΩ
最大r_DS(on) =135mΩ （V_GS = -4.5V, I_D = -2.5A）
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDS9958	量产绿色：截至2014年10月中国 RoHS	$0.6102	SO 8L NB - 1.75 x 3.9 x 4.9mm, 卷带 SO 8L NB 示意图最后更新: 2015年11月 MO8A SON8, Packing Drawing 最后更新: 2015年10月 SOIC 8L TR packing drawing 最后更新: 2013年5月 SOIC 8L PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOIC 8L PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月 SOIC Tape And Reel Packing Drawing 最后更新: 2016年6月	第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &2 (2 位日期代码) &K 第二行FDS 第三行9958

Application Notes

AN-558 Introduction to Power MOSFETs and their Applications 最后更新 : 2016年3月29日

AN-7515 AN-7515 单脉冲和重复UIS混合评估体系最后更新 : 2013年8月27日

AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDS9958.pdf
















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