FDT434P: P沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此N沟道2.5V额定MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大程度地降低通态电阻并保持低栅极电荷以获得卓越开关性能而定制的。

特性

• -5.5 A，-20 V。 R_DS(on) = 0.050 Ω @ V_GS = -4.5 V, R_DS(on) = 0.070 Ω @ V_GS = -2.5 V
• 低栅极电荷（典型值13 nC）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)。
• 高功率和高电流处理能力，采用广泛使用的表面贴装封装。

Application Notes