FDT458P: -30V P沟道PowerTrench® MOSFET

该P沟道MOSFET特别为提高DC/DC转换器的整体效率而设计，采用同步或传统开关脉宽调制(PWM)控制器及电池充电器。 比其他具有可比RDS(ON)规格的MOSFET相比，这些MOSFET拥有更快的开关速度和更低的栅极电荷。

特性

• 3.4 A, -30 V
• R_DS(ON) = 130 mΩ @ V_GS = 10 V
• R_DS(ON) = 200 mΩ @ V_GS = 4.5 V
• 快速开关速度
• 低栅极电荷（2.5nC典型值）
• 高性能沟道技术可实现极低的R_DS(ON)
• 采用广泛使用的表面贴装封装，具有高功率和高电流处理能力

Application Notes