FDT86246L: 150V N沟道PowerTrench® MOSFET

这一 N 沟道 MOSFET 器件采用飞兆半导体的高级 PowerTrench® 工艺生产，该工艺专为实现 rDS(on)、开关性能以及坚固性而优化。

特性

• 最大 r_DS(on) = 228 mΩ（V_GS = 10 V、I_D = 2 A
  
• 最大 r_DS(on) = 280 mΩ（V_GS = 4.5 V、I_D = 1.8 A
  
• 高性能沟道技术可实现极低的 r_DS(on)
  
• 高功率、高处理能力、采用广泛使用的
• 快速开关速度
  
• 100% 经过 UIL 测试
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes