FDV045P20L: -20 V P-Channel PowerTrench® MOSFET

此 P 沟道 MOSFET 器件采用 Fairchild 先进的 PowerTrench® 工艺生产，工艺经过优化，可实现最低通态电阻，同时仍保持卓越的开关性能。

特性

• 最大 r_DS(on) = 108 mΩ（V_GS = -4.5 V、I_D = -1.15 A
• 最大 r_DS(on) = 121 mΩ（V_GS = -2.5 V、I_D = -0.7 A
• 中压 P 沟道硅技术的 r_DS(on)极低，非常适用于 Qg 较低的情况
• 本品十分适用于需要快速开关和负载开关的场合
• 100% 经过 UIL 测试
• 符合 RoHS 标准

Application Notes