FDV303N: 数字FET，N沟道

这些N沟道增强模式场效应晶体管采用飞兆专有的高单元密度DMOS技术生产。 这种高密度工艺专为最大限度地降低低栅极驱动条件下的通态电阻而定制。 该器件特别为使用一个锂或三个镉或NMH电池的电池电路应用设计。 该器件可作为一个转换器使用，或在紧凑型便携电子设备，例如无线电话和传呼器的高效微型分立DC/DC转换中使用。 该器件即使在栅极驱动电压低至2.5V时仍具有出色的通态电阻。

特性

• 25 V，0.68 A 连续电流，2 A 峰值。
  
  • RDS(ON) = 0.45 Ω @ VGS= 4.5 V
  • RDS(ON) = 0.6 Ω @ VGS= 2.7 V
• R_DS(ON) = 0.45 Ω @ V_GS= 4.5 V
  
• R_DS(ON) = 0.6 Ω @ V_GS= 2.7 V
  
• 栅极驱动电平要求极低，从而可在 3 V 电路中直接运行。 V_GS(th) < 1.0 V。
  
• 栅-源齐纳二极管增强耐静电放电(ESD)能力。 >6kV人体模型。
  
• 紧凑型工业标准 SOT-23 表面贴装封装。
  
• TN0200T 和 TN0201T 的备选方案。
  

Application Notes