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FDV305N: 20V N沟道PowerTrench® MOSFET
该20V N沟道MOSFET采用飞兆高压PowerTrench工艺制成。 已针对电源管理应用进行了优化。
数据手册DataSheet
FDV305N.pdf
特性
0.9 A, 20 V
R
DS(ON)
= 220 mΩ @ V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
= 300 mΩ @ V
GS
= 2.5 V
低栅极电荷
快速开关速度
高性能沟道技术可实现极低的R
DS(ON)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDV305N
量产 绿色:截至2013年1月 中国 RoHS
$0.0841
SOT-23 3L - 1.2 x 2.92 x 1.3mm, 卷带
SOT-23 3L 示意图
最后更新: 2016年4月
SOT Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
&E
(空间)
&Y
(二进制历年编码)
第二行
305
&E
(空间)
&G
(每周日期代码)
Application Notes
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Last Update: Oct 2016
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Last Update : 05-Mar-2011
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Last Update : 05-Mar-2011
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Last Update : 23-Oct-2014
Introduction to Power MOSFETs and their Applications
Last Update : 29-Mar-2016
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