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FDWS9408_F085: 40V N 沟道 PowerTrench® MOSFET
数据手册DataSheet
FDWS9408_F085.pdf
特性
典型 R
DS(on)
= 1.5 mΩ(V
GS
= 10 V、I
D
= 80 A
典型 Q
g(tot)
= 68 nC(V
GS
= 10 V、I
D
= 80 A
UIS 能力
符合RoHS标准
符合 AEC Q101 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDWS9408_F085
量产 绿色:截至2016年9月 中国 RoHS
$0.7009
PQFN 8L - 1.1 x 5 x 6mm, 卷带
PQFN 8L 示意图
最后更新: 2016年6月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDWS
第三行
9408
FDWS9408_F085.pdf
PQFN 8L Drawing
Last Update: Jun 2016
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
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