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FDWS9420_F085: N沟道PowerTrench® MOSFET
数据手册DataSheet
FDWS9420_F085.pdf
特性
典型 R
DS(on)
= 5.0 mΩ（V
GS
= 10 V、I
D
= 20 A
典型 Q
g(tot)
= 29 nC（V
GS
= 10 V、I
D
= 20 A 时）
UIS 能力
符合RoHS标准
符合 AEC Q101 标准
可湿螺纹面，用于自动光检测 (AOI)
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDWS9420_F085
量产 绿色：截至2016年3月 中国 RoHS
$0.765
PQFN 5X6 8L - 1.1 x 5.1 x 6.3mm, 卷带
PQFN 5X6 8L 示意图
最后更新: 2016年8月
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
最后更新: 2016年10月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FDWS
第三行
9420
FDWS9420_F085.pdf
PQFN 5X6 8L Drawing
Last Update: Aug 2016
PQFN Tape and Reel Packing Drawing
Last Update: Oct 2016
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