FDY1002PZ: -20Ｖ双P沟道-1.5V额定PowerTrench® MOSFET

此双P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，优化了DS(on)@VGS = –1.5 V。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -0.83 A时，最大r_DS(on) = 0.5Ω
• V_GS = –2.5 V，I_D = –0.70 A时，最大r_DS(on) = 0.7 Ω
• V_GS = –1.8 V，I_D = –0.43 A时，最大r_DS(on) = 1.2 Ω
• V_GS = –1.5 V，I_D = –0.36 A时，最大r_DS(on) = 1.8 Ω
• HBM ESD保护等级 = 1400kV （注3）
• 符合RoHS标准

Application Notes