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FDY100PZ: -20V单P沟道(- 2.5V)额定PowerTrench® MOSFET
此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
数据手册DataSheet
FDY100PZ.pdf
特性
-350 mA,-20 V
RDS(ON) = 1.2 W @ VGS = – 4.5 V
RDS(ON) = 1.6 W @ VGS = – 2.5 V
静电放电(ESD)保护二极管(注3)
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDY100PZ
量产 绿色:截至2011年1月 中国 RoHS
$0.4566
SOT-523F 3L - 0.68 x 1.6 x 0.88mm, 卷带
SOT-523F 3L 示意图
最后更新: 2015年4月
SOT523F-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
第一行
A
&2
(2 位日期代码)
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A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options
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Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation
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