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FDY101PZ: -20V单P沟道(-2.5V)额定PowerTrench® MOSFET
此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成,优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。
数据手册DataSheet
FDY101PZ.pdf
特性
-150 mA,20 V
R
DS(ON)
= 8 Ω @ V
GS
= -4.5 V
R
DS(ON)
= 12 Ω @ V
GS
= -2.5 V
静电放电(ESD)保护二极管(注3)
符合RoHS标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FDY101PZ
量产 绿色:截至2010年12月 中国 RoHS
$0.0639
SOT-523F 3L - 0.68 x 1.6 x 0.88mm, 卷带
SOT-523F 3L 示意图
最后更新: 2015年4月
SOT523F-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
第一行
B
&2
(2 位日期代码)
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