FDY101PZ: -20Ｖ单P沟道(-2.5V)额定PowerTrench® MOSFET _ BDTIC 中国领先电子元器件代理商

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FDY101PZ: -20Ｖ单P沟道(-2.5V)额定PowerTrench® MOSFET

此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，优化了RDS(ON) @ VGS = -2.5v。

**数据手册DataSheet**
FDY101PZ.pdf

特性

-150 mA，20 V
R_DS(ON) = 8 Ω @ V_GS = -4.5 V
R_DS(ON) = 12 Ω @ V_GS = -2.5 V
静电放电(ESD)保护二极管（注3）
符合RoHS标准

**Ordering Code**
产品	产品和生态状况	单价/1K	包装方法规则	丝印标记
FDY101PZ	量产绿色：截至2010年12月中国 RoHS	$0.0639	SOT-523F 3L - 0.68 x 1.6 x 0.88mm, 卷带 SOT-523F 3L 示意图最后更新: 2015年4月 SOT523F-3L, PACKING DRAWING 最后更新: 2013年5月	第一行B&2 (2 位日期代码)

Application Notes

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AN-9005 快速开关超结 MOSFET 的驱动和布局设计最后更新 : 2014年11月26日

AN-7510 A New PSPICE Subcircuit for the Power MOSFET Featuring Global Temperature Options 最后更新 : 2011年3月05日

AN-9065 AN-9065 同步整流中的 FRFET® 最后更新 : 2013年9月09日

AN-4163 Shielded Gate PowerTrench® MOSFET Datasheet Explanation 最后更新 : 2014年10月23日

AN-9034 AN-9034 功率 MOSFET 雪崩应用指南最后更新 : 2013年8月27日

AN-9010 MOSFET 基础最后更新 : 2014年6月28日

AN-7533 A Revised MOSFET Model With Dynamic Temperature Compensation 最后更新 : 2011年3月05日

Datasheet: FDY101PZ.pdf












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