FDY102PZ: -20Ｖ单P沟道(-1.5V)额定PowerTrench® MOSFET

此单P沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计而成，优化了DS(on)@VGS = –1.5 V。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -0.83 A时，最大r_DS(on) = 0.5Ω
• V_GS = -2.5 V，I_D = -0.70 A时，最大r_DS(on) = 0.7Ω
• V_GS = -1.8 V，I_D = -0.43 A时，最大r_DS(on) = 1.2Ω
• V_GS = -1.5 V，I_D = -0.36 A时，最大r_DS(on) = 1.8Ω
• HBM ESD保护等级 = 1400kV （注3）
• 符合RoHS标准

Application Notes