FDY302NZ: 单N沟道2.5V额定PowerTrench® MOSFET

此单N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的Power Trench工艺设计，用以优化RDS(ON) @ VGS = 2.5V。

特性

• 600 mA，20 V
  
  • RDS(ON) = 300 mΩ @ VGS = 4.5 V
  • RDS(ON) = 500 mΩ @ VGS = 2.5 V
• R_DS(ON) = 300 mΩ @ V_GS = 4.5 V
  
• R_DS(ON) = 500 mΩ @ V_GS = 2.5 V
  
• 静电放电(ESD)保护二极管（注3）
  
• 符合 RoHS 标准
  

Application Notes