FDZ1323NZ: 20V 共用漏极P沟道 2.5V 额定 PowerTrench® WL-CSP MOSFET

此器件特别设计为一个单封装解决方案，以实现Li-Ion电池包保护电路和其他超便携应用。 FDZ1323NZ 采用飞兆先进的 PowerTrench®工艺和最新“低间距”WLCSP封装工艺设计而成，具有两个共用漏极N沟道MOSFET，可提供双向电流，最大限度地减小了 PCB 空间和 rS1S2(on)。此先进的 WLCSP MOSFET 彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低 rS1S2(on)融合为一体。

特性

• 最大值 r_S1S2(on) = 13 mΩ（V_GS = 4.5 V, I_S1S2 = 1 A
  时）
• 最大值 r_S1S2(on) = 13 mΩ（V_GS = 4 V, I_S1S2 = 1 A
  时）
• 最大值 r_S1S2(on) = 13 mΩ（V_GS = 3.8 V, I_S1S2 = 1 A
  时）
• 最大值 r_S1S2(on) = 16 mΩ（V_GS = 3.7 V, I_S1S2 = 1 A
  时）
• 最大值 r_S1S2(on) = 16 mΩ（V_GS = 3.1 V, I_S1S2 = 1 A
  时）
• 最大值 r_S1S2(on) = 16 mΩ（V_GS = 3.1 V, I_S1S2 = 1 A
  时）
• 只占用 3 mm²的 PCB 面积
  
• 超薄封装：安装到 PCB 时高度小于 0.35 毫米
  
• 高功率和高电流处理能力
  
• HBM 静电放电保护等级 > 3.6 kV（注3）
  
• 符合RoHS标准
  

Application Notes