FDZ197PZ: -20Ｖ P沟道1.5V 额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

FDZ197PZ采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺和最新“微间距”WLCSP封装工艺设计，最大限度地减小了PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -2.0 A时，最大r_DS(on) = 64 mΩ
• 最大r_DS(on) = 71 mmΩ （V_GS = -2.5 V, I_D= -2.0 A）
• 最大r_DS(on) = 79 mmΩ （V_GS = -1.8 V, I_D= -1.0 A）
• 最大r_DS(on) = 95 mmΩ （V_GS = -1.5 V, I_D= -1.0 A）
• 仅占1.5 mm2的PCB空间。比2 x 2 BGA所占空间少50%。
• 超薄封装： 安装在PCB上时高度低于0.65 mm
• ESD保护
• 符合RoHS标准

Application Notes