FDZ371PZ: -20V P沟道1.5 V额定PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

FDZ371PZ的设计采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench®工艺以及一流的“微间距”薄型WLCSP封装工艺，可最大限度地减少PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -2.0 A时，最大r_DS(on) = 75 mΩ
• V_GS = -2.5 V，I_D = -1.5 A时，r_DS(on) = 90 mΩ（最大值）
• V_GS = -1.8 V，I_D = -1.0 A时，最大r_DS(on) = 110 mΩ
• V_GS = -1.5 V，I_D = -1.0 A时，最大r_DS(on) = 150 mΩ
• 仅占1.0 mm2的PCB空间。比2 x 2 BGA所占空间少30%。
• 超薄封装： 安装至PCB时，高度小于0.4 mm
• HBM ESD保护等级>4.4kV，典型值（注3）
• 符合RoHS标准

Application Notes