FDZ391P: -20V P沟道1.5 V PowerTrench®薄型WL-CSP MOSFET

FDZ391P的设计采用飞兆先进的1.5 V PowerTrench工艺和最新“低间距”薄型WLCSP封装工艺，可最大限度地减小PCB空间和RDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型封装、低栅极电荷和低rDS(on)融合为一体。

特性

• V_GS = -4.5 V，I_D = -1 A时，最大R_DS(on) = 85mΩ
• V_GS = -3 V，I_D = -1 A时，最大R_DS(on) = 123mΩ
• V_GS = -3 V，I_D = -1 A时，最大R_DS(on) = 200mΩ
• 只占用1.5 mm2的PCB面积
• 超薄封装： 安装在PCB上时高度低于0.4 mm
• 符合RoHS标准

Application Notes