FDZ663P采用飞兆半导体先进的1.5 V PowerTrench®工艺以及一流的“微间距”薄型WLCSP封装工艺，可最大限度地减小PCB空间和rDS(on)。 先进的WLCSP MOSFET彰显了封装技术的突破性进展，使该器件将卓越的传热特性、超薄型(0.4 mm)和小型(0.8x0.8 mm2)封装、低栅极电荷和低rDS(on)
融为一体。
第二行J&2 (2 位日期代码) 第三行&. (引脚 1) &E (空间) &Z (工厂编码)
