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FGA6065ADF: 650 V、60 A 场截止沟道 IGBT
此 ADF IGBT 系列采用第三代场截止沟道式 IGBT，提供极低的 Rds(on) 及快得多的开关特性，实现出色效率。 而且，这种技术针对各种 PFC（功率因数校正）拓扑进行全面优化；单级升压、多沟道交错式及超过 20KHz 的开关性能。 TO3P 封闭提供超低热电阻，提供更广泛的 SOA，实现出色的系统稳定性。
| FGA6065ADF.pdf |
特性
- 最大结温： TJ = 175 °C
- 正温度系数，易于并联运行
- 高电流能力
- 低饱和电压： VCE(sat)=1.8 V（典型值） （IC=60 A）
- 部件 100% 经过 ILM (1)检测
- 高输入阻抗
- 快速开关
- 符合 RoHS 标准
| 产品 | 产品和生态状况 | 单价/1K | 包装方法规则 | 丝印标记 |
|---|---|---|---|---|
| FGA6065ADF | 量产 绿色：截至2015年6月 中国 RoHS | $4.17 | TO-3PN 3L
-
4.8 x 15.6 x 38.7mm,
管装
| 第一行$Y (飞兆徽标) &Z (工厂编码) &3 (3 位日期代码) &K
第二行FGA6065 |
- TO-3PN 3L Drawing Last Update: Jun 2015
- PKG-TO3PN03A_Tube_Packing_Drawing Last Update: Jan 2014
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