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FAIRCHILD 飞兆半导体
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> FGD3N60LSD
FGD3N60LSD: 600V, 3A, 1.2V, DPAK平面 IGBT
飞兆的绝缘栅极双极晶体管(IGBT)提供非常低的传导损耗。 该器件专为极低导通压降是必需功能的应用而设计。
数据手册DataSheet
FGD3N60LSD.pdf
特性
高电流能力
极低饱和电压: V
CE(sat)
= 1.2 V(I
C
= 3 A时)
高输入阻抗
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FGD3N60LSDTM
量产 绿色:截至2014年5月 中国 RoHS
$0.4841
TO-252 3L (DPAK) - 2.285 x 6.54 x 9.905mm, 卷带
TO-252 3L (DPAK) 示意图
最后更新: 2016年6月
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
最后更新: 2016年10月
TO252-3L, PACKING DRAWING
最后更新: 2013年5月
TO252-3L packing drawing
最后更新: 2013年5月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FGD
第三行
3N60LSD
FGD3N60LSD.pdf
TO-252 3L (DPAK) Drawing
Last Update: Jun 2016
TO252-3L, JEDEC OPTION AA REEL PACKING DRAWING
Last Update: Oct 2016
TO252-3L, PACKING DRAWING
Last Update: May 2013
TO252-3L packing drawing
Last Update: May 2013
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