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IGBT 绝缘栅型双极晶体管
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FGH25T120SMD: 1200 V、25 A 场截止沟道 IGBT
通过采用创新的场截止沟道 IGBT 技术,飞兆半导体新型系列的场截止沟道 IGBT 可为太阳能逆变器、UPS、焊机和 PFC 等硬开关应用提供最佳性能。
数据手册DataSheet
FGH25T120SMD.pdf
特性
FS 沟道技术,正温度系数
高速开关
低饱和电压: IC = 25 A 时,VCE(sat) = 1.8 V
100% 零件 ILM(1) 测试
高输入阻抗
符合 RoHS 标准
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FGH25T120SMD_F155
量产 符合 RoHS 标准截至2006年2月27日 中国 RoHS
$5.52
TO-247 3L - 4.7 x 15.62 x 20.57mm, 管装
TO-247 3L 示意图
最后更新: 2016年8月
Tube Packing Drawing
最后更新: 2015年11月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FGH25T120
第三行
SMD
FGH25T120SMD.pdf
TO-247 3L Drawing
Last Update: Aug 2016
Tube Packing Drawing
Last Update: Nov 2015
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