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IGBT 绝缘栅型双极晶体管
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FGH30N60LSD: 600V, 30A, PT IGBT
FGH30N60LSD IGBT 使用飞兆半导体的平面技术提供卓越的传导性能,从而为光伏逆变器和 UPS 等低传导损耗为最重要因素的中频开关应用提供最佳性能。
数据手册DataSheet
FGH30N60LSD.pdf
特性
低饱和电压:V
CE(sat)
=1.1V @ I
C
= 30A
高输入阻抗
低传导损耗
Ordering Code
产品
产品和生态状况
单价/1K
包装方法规则
丝印标记
FGH30N60LSDTU
量产 绿色:截至2013年8月 中国 RoHS
$5.13
TO-247 3L - 4.7 x 15.62 x 20.57mm, 管装
TO-247 3L 示意图
最后更新: 2016年9月
TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING
最后更新: 2015年11月
第一行
$Y
(飞兆徽标)
&Z
(工厂编码)
&3
(3 位日期代码)
&K
第二行
FGH30N60
第三行
LSD
FGH30N60LSD.pdf
TO-247 3L Drawing
Last Update: Sep 2016
TO247-3L, JEDEC OPTION AB, PACKING DRAWING
Last Update: Nov 2015
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